Ученые в Петербурге получили магнитные кристаллы оксида галлия
:format(webp)/aHR0cHM6Ly94bi0tODBhaGNubGhzeGoueG4tLXAxYWkvbWVkaWEvbXVsdGltZWRpYS9tZWRpYWZpbGUvZmlsZS8yMDI1LzEwLzIxLzIwMjUxMDE3XzExMzA0Ny5qcGc.webp)
Ученые из ЛЭТИ, ФТИ имени Иоффе РАН и СПбГУ синтезировали кристаллы оксида галлия с железом, обладающие магнитными свойствами при комнатной температуре. Материал рассматривают для энергоэффективной электроники и новых видов памяти, сообщили ТАСС в пресс-службе ЛЭТИ.
Исследователи впервые получили монокристаллы оксида галлия с высоким содержанием железа раствор-расплавным методом. В образцах обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.
Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что команда впервые вырастила такие кристаллы и зафиксировала их магнитные свойства.
Оксид галлия с железом ученые называют возможной альтернативой кремнию для силовой электроники. Для развития спинтроники нужны полупроводники, у которых можно контролировать одновременно электрические и магнитные характеристики. На их основе предполагается создавать энергонезависимую и энергоэффективную память.
Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев заявил, что работа приблизила получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. В перспективе материал может стать основой приборов спинтроники для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и магнитного хранения данных на одном кристалле.
Источник: ТАСС